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Highly stressed carbon film coatings on silicon: Potential applications
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/5050
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| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (133.0 kB)
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Copyright (2002) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 80(16), pp.2880-2882; 2002 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/80/2880
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | Highly stressed carbon film coatings on silicon: Potential applications | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||
| 著者 |
Sharda, T.
× Sharda, T.
× 曾我, 哲夫
× Jimbo, Takashi
× Umeno, Masayoshi
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 80, 号 16, p. 2880-2882, 発行日 2002-04-22 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543432 | |||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.1471379 | |||||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/1.1471379 | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | Highly stressed and strongly adhered nanocrystalline diamond films are grown on Si substrates by providing controlled and continuous bias current density (BCD) in microwave plasma chemical vapor deposition system. The stress and hence the curvature of the films on Si substrates can be varied and controlled by changing the BCD. We propose applications for such stressed films in the areas in which bent crystals are being used for various purposes, i.e., particle physics, x-ray optics, etc. These bent Si substrates can replace crystal benders, a cumbersome mechanical arrangement, used for bending Si in those areas. | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
